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　　近期以来，多国芯片巨头上调居品报价。据央视财经报谈，往常半年，公共存储芯片价钱握续高涨。相等是最近一个月，加价音信越发密集。

　　据《科创板日报》不皆备统计：

　　9月下旬，三星电子发出第四季度提价告知，筹划将部分DRAM价钱上调15%至30%，NAND闪存价钱上调5%至10%。

　　NAND闪存截止芯片大厂群联日前复原报价，价钱涨幅约10%。

　　9月16日，西部数据告知客户将冉冉晋升系数HDD（机械硬盘）居品的价钱。

　　9月上旬，闪迪晓示将面向系数渠谈和亏本者客户的NAND居品价钱上调10%以上。

　　波及加价的存储芯片种类松懈涵盖DRAM与NAND两种类型：前者是一种易失性半导体储器，读取速率相对快但断电后数据一忽儿肃清，无法始终保存，近期受商场追捧的HBM也属于这一类型；后者属于非易失性存储，断电后数据仍能矫健留存，频频认真存放海量数据和模子参数，SSD、HDD等属于此列。

　　把柄摩根士丹利的最新研报预测，东谈主工智能飞扬下，存储芯片行业估计迎来一个“超等周期”。就在日前（10月1日），OpenAI与三星电子、SK海力士晓示实现初步供货契约，两家韩国公司将为“星际之门”（Stargate）面容供应存储芯片。韩国总统办公室暗意，OpenAI筹划在2029年订购90万片存储芯片晶圆。

　　SK海力士在公告中称，这一需求预测是当今公共高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多，突显了“星际之门”面容限制之大以及公共东谈主工智能发展之快。

　　进一步细分来看，在DRAM、HBM无数崇高且供给垂死的布景下，NAND有望成为AI期间新一轮主流存储聘任。

　　据悉，三星电子已入辖下手开展HBF高带宽闪存居品的主意假想等前期开拓职责。所谓HBF，是一种通常HBM的专为AI畛域假想的新式存储器架构，分散在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。被称作“HBM之父”的韩国科学时间院（KAIST）莳植金正浩指出，面前的东谈主工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速率较慢但容量更高的NAND闪存不错行动补充。

　　摩根士丹利估计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。

　　此外，群联电子董事长潘健成近日给与采访时暗意，SSD将成为大容量存储的主流聘任，但当今与HDD对比，两者占比为2：8，由于SSD新增容量不及，预期2026年起NAND闪存将严重尽力，且明天十年供应都将垂死。

　　与此同期，NAND Flash价钱涨幅已反超DRAM。据CFM闪存商场报价，2025年第三季度，NAND Flash商场笼统价钱指数高涨5%，DRAM商场笼统价钱指数高涨19.2%。9月单月来看，NAND Flash商场笼统价钱指数高涨4.7%，DRAM商场笼统价钱指数高涨2.6%。

　　瞻望后续，TrendForce估计25Q4 NAND Flash价钱将高涨5-10%。中信证券觉得，后续数据中心eSSD加价幅度有望超商场预期，2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。